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物理学论文_大功率780 nm半导体激光器的设计与制备

 
来源:创意设计源 栏目:期刊导读 时间:2021-09-14
 

文章摘要:设计并制备了一款780 nm半导体激光器,并进行了外腔反馈锁模研究。利用金属有机化学气相沉积技术制备了激光器外延层,采用GaAsP/GaInP作为量子阱/波导层有源区,限制层采用低折射率AlGaInP材料。采用超高真空解理钝化技术,在激光器腔面蒸镀无定形ZnSe钝化层。未钝化器件在输出功率2.5 W时发生腔面灾变损伤(COD),钝化后器件未发生COD现象,电流在10 A时输出功率10.1 W,电光转换效率54%。体布拉格光栅(VBG)外腔锁定前后,器件的光谱半峰全宽分别为2.6 nm和0.06 nm,VBG变温调控波长范围约230 pm。

文章关键词:半导体激光器,腔面灾变损伤,光谱调控,ZnSe,外腔反馈,

论文作者:何林安 周坤 张亮 李弋 杜维川 胡耀 高松信 唐淳 

作者单位:中国工程物理研究院应用电子学研究所 

论文分类号: TN248.4

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